中国上市公司网讯 3月1日，拓荆科技股份有限公司(以下简称“拓荆科技”或公司)科创板IPO注册获证监会同意，公司将刊登招股资料，启动发行工作。公司首次公开发行A股不超过3,161.9800万股，将登陆上交所科创板上市。

　　拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列，已广泛应用于国内晶圆厂 14nm 及以上制程集成电路制造产线，并已展开 10nm 及以下制程产品验证测试。

　　拓荆科技本次利用募集资金投资额100,029.65万元，主要用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD 设备研发与产业化项目、补充流动资金。

　　拓荆科技表示，公司未来将继续致力于高端半导体设备的研发生产，扩大现有设备市场占有率，提高公司设备的技术先进性，丰富公司设备种类，拓展技术应用领域，开发台湾市场。为保障公司发展战略和规划的实施，公司未来将采取如下措施：1、持续研发投入，保持核心技术先进性;2、开展先进制程、先进工艺产品研发及产能建设;3、加强高端人才引进与内部人才梯队培养;4、拓展新客户和现有客户的新需求;5、拓展中国台湾市场。