• 拓荆科技IPO注册获同意 将于上交
 
公司简介
拓荆科技股份有限公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列。
  • 拓荆科技于4月20日在上交所科创板上市
    中国上市公司网讯4月19日,拓荆科技股份有限公司(以下简称“拓荆科技”或公司)披露了首次公开发行股票上市公告书,公司将于2022年4月20日在上交所科创板上市,股票简称为“拓荆科技”,股票代码为&[详细]
  • 拓荆科技中签号码共有16,269个
    中国上市公司网讯4月12日,拓荆科技股份有限公司首次公开发行股票(以下简称“拓荆科技”)发布了网上中签结果公告,中签号码共有16,269个。拓荆科技中签结果如下:末尾位数中签号码末“4”位数3[详细]
 
IPO重要信息
股票代码 688072
股票简称 拓荆科技
上市板块 上交所科创板
发行价格(元/股) 71.88
发行市盈率 -
网上发行股数(股) 8,134,500
网下配售数量(股) 19,455,732
总发行数量(股) 31,619,800
网上发行中签率(%) 0.04355663
募集资金总额(亿元) 22.73
保荐人(主承销商) 招商证券
预先披露日期 2021-07-12
上市委会议通过日期 2021-10-29
提交注册日期 2021-11-05
同意注册日期 2022-03-01
刊登发行公告日期 2022-03-29
网上路演日期 2022-04-07
网上发行日期 2022-04-08
中签号公布日期 2022-04-12
上市日期 2022-04-20
 
拓荆科技基本资料及发行相关资料
公司名称 拓荆科技股份有限公司 英文名称 Piotech Inc.
成立日期 2010年04月28日(股份公司设立2021年1月12日) 注册资本(人民币万元) 9,485.8997
法人代表 吕光泉 证监会行业分类 C35 专用设备制造业
雇员总数(人) 429(截至2021年9月30日) 总经理 田晓明
董事会秘书 赵曦  证券事务代表  
注册地址 辽宁省沈阳市浑南区水家 900 号 办公地址 辽宁省沈阳市浑南区水家 900 号
邮编 110168 电话 024-24188000
传真 024-24188000-8080 公司网址 http://www.sypiotech.cn
电子邮件 ir@sypiotech.cn 保荐代表人 刘宪广、张贺
会计师事务所 天健会计师事务所(特殊普通合伙) 经办会计师 陈焱鑫、徐银
律师事务所 北京市中伦律师事务所 经办律师 都伟、刘佳、姚腾越
资产评估机构 北京中企华资产评估有限责任公司 经办评估人员 王晨煜、王少岩
发行费用概算(万元)   其中信息披露费用(万元)  
 
拓荆科技简介及募资项目
公司简介
拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大核心设备。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂 14nm 及以上制程集成电路制造产线,并已展开 10nm 及以下制程产品验证测试。
主营业务 从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。
筹集资金将用于的项目 序号 项目 投资金额(万元)
1 高端半导体设备扩产项目 7,986.46
2 先进半导体设备的技术研发与改进项目 39,948.34
3 ALD 设备研发与产业化项目 27,094.85
4 补充流动资金 25,000.00
投资金额总计 100,029.65
 
拓荆科技前十大股东(发行前)
序号 股东名称 持股数量(万股) 占总股本比例(%)
1 国家集成电路基金 2,512.1755 26.4833
2 国投上海 1,729.7297 18.2347
3 中微公司 1,062.2547 11.1982
4 嘉兴君励 701.2105 7.3921
5 润扬嘉禾 623.3158 6.5710
6 中科仪 300.0000 3.1626
7 沈阳创投 297.0297 3.1313
8 苏州聚源 180.0180 1.8977
9 中车国华 162.1622 1.7095
10 宿迁浑璞 150.0000 1.5813
合计   81.3617
 
行业内其他主要企业
序号 公司名称 简要介绍
1 应用材料(AMAT)
公司成立于 1967 年,系美国纳斯达克证券交易所上市公司(股票代码:AMAT),主要从事半导体设备的研发、生产和销售,主要产品包括原子层沉积设备、化学薄膜沉积设备、电化学沉积设备、物理薄膜沉积设备、刻蚀设备、快速热处理设备、离子注入机、化学机械抛光设备等。
2 泛林半导体(Lam)
公司成立于 1980 年,系美国纳斯达克证券交易所上市公司(股票代码:LRCX),主要从事半导体设备的研发、生产和销售,主要产品包括刻蚀设备、薄膜沉积设备、晶圆清洗设备、光致抗蚀设备等。
3 东京电子(TEL)
公司成立于 1963 年,系东京证券交易所上市公司(股票代码:8035.TYO),主要从事半导体设备的研发、生产和销售,其主要产品包括显像设备、热处理成膜设备、干法刻蚀设备、湿法清洗设备及测试设备及平板液晶显示设备等。
4 先晶半导体(ASMI)
公司成立于 1968 年,是一家荷兰晶圆制造半导体工艺设备的供应商,阿姆斯特丹泛欧交易所上市公司(股票代码:ASM)。公司产品涵盖了晶圆加工技术的重要方面,包括光刻、沉积、离子注入和单晶圆外延。
 
拓荆科技前五大客户(2021年1-9月)
序号 客户名称
1 中芯国际
2 北京屹唐科技有限公司
3 长江存储科技有限责任公司
4 华虹集团
5 睿力集成电路有限公司
拓荆科技前五大供应商(2021年1-9月)
序号 供应商名称
1 万机仪器
2 超科林微电子设备(上海)有限公司
3
苏州冠韵威电子技术有限公司
4 Rorze Corporation
5 Brooks Automation, Inc.
 
拓荆科技主要财务指标
财务指标/时间 2021年9月 2020年12月 2019年12月 2018年12月
总资产(元) 2,345,298,917.71 1,814,069,093.40 1,074,116,874.19 926,445,621.22
净资产(元) 1,180,275,120.86 1,122,498,745.81 814,269,557.03 694,153,505.45
少数股东权益(元) -625,975.59 289,071.44 - -
营业收入(元) 373,895,652.48 435,627,676.17 251,251,546.85 70,644,026.75
净利润(元) 57,048,733.85 -11,699,944.22 -19,366,448.24 -103,222,885.38
资本公积(元) 1,001,575,585.12 1,280,812,453.49 977,830,688.99 845,585,030.67
未分配利润(元) 84,466,514.33 -254,765,043.20 -243,276,027.54 -223,909,579.30
基本每股收益(元) 0.61 - - -
稀释每股收益(元) 0.61 - - -
每股现金流(元) -0.80 3.26 -0.28 -1.80
净资产收益率(%) 5.03 -1.11 -2.83 -13.86
 
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